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ZXMN10A08G
100V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET
Summary
V (BR)DSS
100
Description
R DS(on) ( )
0.250 @ V GS = 10V
0.300 @ V GS = 6V
I D (A)
2.9
2.6
D
This new generation trench MOSFET from Zetex features a unique
structure combining the benefits of low on-resistance and fast
switching, making it ideal for high efficiency power management
applications.
Features
G
S
?
?
?
?
Low on-resistance
Fast switching speed
Low threshold
SOT223 package
Applications
?
DC-DC converters
S
?
?
?
Power management functions
Disconnect switches
Motor control
D
D
G
Ordering information
Pinout - top view
Device
ZXMN10A08GTA
Reel size
(inches)
7
Tape width
(mm)
12
Quantity
per reel
1,000
Device marking
ZXMN
10A08
Issue 1 - June 2006
? Zetex Semiconductors plc 2006
1
www.zetex.com
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